Již na květnovém veletrhu Laser 2013 – World of Photonics se objevil reálný směr pro miniaturizaci elektroniky na zásadně nové technologii, která by dokázala vytvořit laserový zdroj s vlnovou délkou 13,5 nm. Je to zdroj, který je rozhodující pro mikrolitografii, základní technologii ve výrobě polovodičů při projekci mikročipů na substrátový křemíkový disk. Už dnes stojí za projekcí schémat paprsek laseru, a čím je kratší jeho vlnová délka, tím užší struktury může vytvářet. Dosavadních 193 nm v ultrafialové části spektra je limitem už asi deset let a po tu dobu přední výrobci usilují o vývoj praktického, dostatečně výkonného laserového zdroje pro vyšší rozlišení a přiblížení se spektrální oblasti extrémně ultrafialové EUV. Ta má svá zcela odlišná specifika od dosavadních postupů. EUV záření je dobře absorbované všemi materiály, včetně vzduchu, a proto celý proces musí probíhat ve vakuu. Jiné jsou i nároky na masky elektronických obvodů a užívanou optiku.
Tento stručný výčet požadavků na techniku v EUV ukazuje na obtížnost této cesty. Přesto, pokud jde o ty nejdokonalejší návrhy pro laser v této spektrální oblasti, vznikly tady nezávisle na sobě na principu Laser-Produced-Plasma dokonce dva podobné postupy. Jeden, který na vstupu využívá větší počet laserů jako předzesilovačů pro 20 kW CO2 laser, je od japonského výrobce Gigaphoton Inc. Na výstupu ještě ale negarantuje požadovaný výkon. Druhý představil Trumpf a jeho způsob potřebného zesílení výkonu laserového paprsku je už propracovanější. Zesilovač vychází pouze z komerčního CO2 desetikilowattového laseru a v pěti stupních zesílení dává na výstupu v pulzu střední výkon 20 kW a max. výkon několik MW pro zisk plazmy s centrální vlnovou délkou 13,5 nm. Trumpf navíc začal svůj systém už dodávat i výrobcům litografických zařízení pro elektronický průmysl.